English
  • Si-PCX
  • PCX-Lensys-Si-1
  • Si-plano-amgrwm

silicon (Si)
Lensys Plano-Amgrwm

Mae gan lensys plano-convex (PCX) hyd ffocal positif a gellir eu defnyddio i ganolbwyntio trawst gwrthdaro i'r canolbwynt cefn, i wrthdaro golau o ffynhonnell pwynt, neu leihau ongl dargyfeiriol ffynhonnell dargyfeiriol. Er mwyn lleihau cyflwyniad aberration sfferig, dylai ffynhonnell golau gwrthdaro ddigwydd ar wyneb crwm y lens wrth ddefnyddio PCX i ganolbwyntio ffynhonnell golau gwrthdaro; Yn yr un modd, dylai'r pelydrau golau dargyfeiriol ddigwydd ar wyneb planar y lens PCX wrth wrthdaro â ffynhonnell golau pwynt. Defnyddir y lensys hyn mewn cymwysiadau cyfun anfeidrol a therfynol.

Wrth benderfynu rhwng lens plano-amgrwm a lens deu-amgrwm, y mae'r ddau ohonynt yn achosi i olau digwyddiad gwrthdrawiadol gydgyfeirio, fel arfer mae'n fwy addas dewis lens plano-amgrwm os yw'r chwyddhad absoliwt a ddymunir naill ai'n llai na 0.2 neu'n fwy na 5. Rhwng y ddau werth hyn, mae lensys deu-amgrwm yn cael eu ffafrio'n gyffredinol.

Mae silicon yn cynnig dargludedd thermol uchel a dwysedd isel. Fodd bynnag, mae ganddo fand amsugno cryf o 9 micron, nid yw'n addas i'w ddefnyddio gyda chymwysiadau trawsyrru laser CO2. Mae Paralight Optics yn cynnig Silicon (Si) Mae lensys Plano-Amgrwm ar gael gyda gorchudd AR band eang wedi'i optimeiddio ar gyfer yr ystod sbectrol 3 µm i 5 μm a adneuwyd ar y ddau arwyneb. Mae'r cotio hwn yn lleihau adlewyrchiad wyneb y swbstrad yn fawr, gan gynhyrchu trosglwyddiad uchel ac ychydig iawn o amsugno dros yr ystod cotio AR gyfan. Gwiriwch y Graffiau am eich cyfeiriadau.

eicon-radio

Nodweddion:

Deunydd:

silicon (Si)

Is-haen:

Dwysedd Isel a Dargludedd Thermol Uchel

Opsiynau gorchuddio:

Heb ei orchuddio neu gyda Haenau Gwrth-flection a DLC ar gyfer yr Ystod 3 - 5 μm

Hyd Ffocal:

Ar gael o 15 i 1000 mm

eicon-nodwedd

Manylebau Cyffredin:

pro-perthynol-ico

Lluniadu Cyfeirio ar gyfer

Lens plano-amgrwm (PCX).

Dia: Diamedr
f: Hyd Ffocal
ff: Hyd Ffocal Blaen
fb: Yn ol Hyd Ffocal
R: Radiws
tc: Trwch y Ganolfan
te: Trwch ymyl
H”: Cefn Prif Awyren

Nodyn: Mae'r hyd ffocal yn cael ei bennu o'r prif awyren gefn, nad yw o reidrwydd yn cyd-fynd â thrwch yr ymyl.

Paramedrau

Ystodau a Goddefiannau

  • Deunydd swbstrad

    silicon (Si)

  • Math

    Lens Plano-Concex (PCX).

  • Mynegai Plygiant

    3.422 @ 4.58 μm

  • Rhif Abbe (Vd)

    Heb ei ddiffinio

  • Cyfernod Ehangu Thermol (CTE)

    2.6 x 10-6/ ar 20 ℃

  • Goddefiant Diamedr

    Cywirdeb: +0.00/-0.10mm | Cywirdeb Uchel: +0.00/-0.02mm

  • Trwch Goddefgarwch

    Cywirdeb: +/-0.10 mm | Precision Uchel:-0.02 mm

  • Goddefgarwch Hyd Ffocal

    +/- 1%

  • Ansawdd Arwyneb (Scratch-Dig)

    Cywirdeb: 60-40 | Cywirdeb Uchel: 40-20

  • Gwastadedd Arwyneb (Ochr Plano)

    λ/4

  • Pŵer Arwyneb Sfferig (Ochr Amgrwm)

    3 λ/4

  • Afreoleidd-dra ar yr wyneb (Uchafbwynt i'r Fali)

    λ/4

  • Canoliad

    manwl gywir:<3 arcmin | Cywirdeb Uchel: <30 arcsec

  • Agoriad Clir

    90% o Diamedr

  • Ystod Cotio AR

    3 - 5 μm

  • Trosglwyddiad dros Ystod Cotio (@ 0° AOI)

    Tavg > 98%

  • Myfyrdod dros Ystod Cotio (@ 0° AOI)

    Ravg< 1.25%

  • Tonfedd Dylunio

    4µm

  • Trothwy Difrod Laser

    0.25 J/cm2(6 ns, 30 kHz, @3.3μm)

graffiau-img

Graffiau

♦ Cromlin drosglwyddo swbstrad Si heb ei orchuddio: trosglwyddiad uchel o 1.2 i 8 μm
♦ Cromlin drosglwyddo swbstrad Si AR-Coated: Tavg > 98% dros yr ystod 3 - 5 μm
♦ Cromlin drosglwyddo o swbstrad DLC + AR-Coated Si: Tavg > 90% dros yr ystod 3 - 5 μm

cynnyrch-llinell-img

Cromlin Trawsyrru o AR-Coated (3 - 5 μm) Silicon Substrate

cynnyrch-llinell-img

Cromlin Trawsyrru o DLC + AR-Coated (3 - 5 μm) Silicon Substrate

Cynhyrchion Cysylltiedig

Tarwch enter i chwilio neu ESC i gau