Al decidir entre una lente planoconvexa y una lente biconvexa, las cuales hacen que la luz incidente colimada converja, generalmente es más adecuado elegir una lente planoconvexa si el aumento absoluto deseado es menor que 0,2 o mayor que 5. Entre estos dos valores, generalmente se prefieren las lentes biconvexas.
El silicio ofrece alta conductividad térmica y baja densidad. Sin embargo, tiene una fuerte banda de absorción de 9 micrones, por lo que no es adecuado para su uso con aplicaciones de transmisión láser de CO2. Paralight Optics ofrece lentes plano-convexas de silicio (Si) disponibles con un revestimiento AR de banda ancha optimizado para el rango espectral de 3 µm a 5 µm depositado en ambas superficies. Este recubrimiento reduce en gran medida la reflectancia de la superficie del sustrato, lo que produce una alta transmisión y una absorción mínima en toda la gama de recubrimiento AR. Consulte los gráficos para sus referencias.
Silicio (Si)
Baja densidad y alta conductividad térmica
Sin recubrimiento o con recubrimientos antirreflectantes y DLC para el rango de 3 a 5 μm
Disponible de 15 a 1000 mm
Material de sustrato
Silicio (Si)
Tipo
Lente Plano-Concex (PCX)
Índice de refracción
3,422 a 4,58 µm
Número Abbe (Vd)
No definido
Coeficiente de expansión térmica (CTE)
2,6 x 10-6/ a 20 ℃
Tolerancia del diámetro
Precisión: +0,00/-0,10 mm | Alta precisión: +0,00/-0,02 mm
Tolerancia de espesor
Precisión: +/-0,10 mm | Alta precisión: -0,02 mm
Tolerancia de distancia focal
+/- 1%
Calidad de la superficie (raspar-excavar)
Precisión: 60-40 | Alta precisión: 40-20
Planitud de la superficie (lado plano)
λ/4
Potencia de superficie esférica (lado convexo)
3λ/4
Irregularidad de la superficie (de pico a valle)
λ/4
Centrado
Precisión:<3 minutos de arco | Alta precisión: <30 segundos de arco
Apertura clara
90% del diámetro
Gama de recubrimiento AR
3 - 5 µm
Transmisión sobre el rango de recubrimiento (@ 0° AOI)
Tavg > 98%
Reflectancia sobre el rango de recubrimiento (@ 0° AOI)
ravg< 1,25%
Diseño de longitud de onda
4 µm
Umbral de daño por láser
0,25 J/cm2(6 ns, 30 kHz, @3,3 μm)