Kun sitä käytetään hajottamaan valoa sädettä laajentavissa sovelluksissa, koveran pinnan tulee olla sädettä päin pallopoikkeaman minimoimiseksi. Käytettäessä yhdessä toisen objektiivin kanssa negatiivinen meniskilinssi lisää polttoväliä ja pienentää järjestelmän numeerista aukkoa (NA).
ZnSe-linssit sopivat ihanteellisesti CO2-laserkäyttöön erinomaisten kuvantamisominaisuuksien ja korkean lämpösokkien kestävyyden ansiosta. Paralight Optics tarjoaa sinkkiselenidi (ZnSe) -negatiiviset meniskilinssit, jotka vähentävät optisen järjestelmän NA:ta ja ovat saatavilla laajakaistaisella heijastuksenestopinnoitteella, joka on optimoitu 8 µm - 12 µm spektrialueelle, joka on kerrostettu sekä pinnoille että tuottoa. keskimääräinen läpäisy on yli 97 % koko AR-pinnoitealueella.
Sinkkiselenidi (ZnSe)
Päällystämätön tai heijastamattomilla pinnoitteilla
Saatavana -40 - -1000 mm
Optisen järjestelmän NA:n vähentäminen
Alustan materiaali
Laserlaatuinen sinkkiselenidi (ZnSe)
Tyyppi
Negatiivinen meniskilinssi
Taitekerroin
2,403 @ 10,6 µm
Abbe-numero (Vd)
Ei määritelty
Lämpölaajenemiskerroin (CTE)
7,1x10-6/℃ 273K
Halkaisijan toleranssi
Tarkkuus: +0.00/-0.10mm | Suuri tarkkuus: +0,00/-0,02 mm
Keskipaksuuden toleranssi
Tarkkuus: +/-0,10 mm | Suuri tarkkuus: +/-0,02 mm
Polttovälin toleranssi
+/- 1 %
Pintalaatu (Scratch-Dig)
Tarkkuus: 60-40 | Suuri tarkkuus: 40-20
Pallomainen pintateho
3 λ/4
Pinnan epäsäännöllisyys (huipusta laaksoon)
λ/4
Keskitys
Tarkkuus:< 3 kaarenminuuttia | Korkea tarkkuus:< 30 kaarisek
Kirkas aukko
80 % halkaisijasta
AR-pinnoitevalikoima
8-12 μm
Heijastus pinnoitusalueen yli (@ 0° AOI)
Ravg< 1,5 %
Lähetys pinnoitusalueen yli (@ 0° AOI)
Tav > 97 %
Suunnittelun aallonpituus
10,6 μm
Laservaurion kynnys (pulssi)
5 J/cm2(100 ns, 1 Hz, @10,6 μm)