Aínda que as lentes biconvexas minimizan as aberracións en situacións nas que as distancias do obxecto e da imaxe son iguais ou case iguais, cando se decide entre unha lente biconvexa ou DCX e unha lente plano-convexa, ambas causan a converxencia da luz incidente colimada, xeralmente é preferible escoller unha lente biconvexa para minimizar as aberracións se a relación entre as distancias do obxecto e a imaxe (a relación de conxugación absoluta) está entre 5:1 e 1:5. Fóra deste rango, as lentes plano-convexas adoitan ser preferidas.
As lentes de ZnSe son especialmente adecuadas para o seu uso con láseres de CO2 de alta potencia. Paralight Optics ofrece lentes biconvexas de seleniuro de zinc (ZnSe) dispoñibles cun revestimento AR de banda ancha optimizado para o rango espectral de 8 a 12 μm depositado en ambas as superficies. Este revestimento reduce en gran medida a alta reflectividade superficial do substrato, producindo unha transmisión media superior ao 97% en todo o rango de revestimento AR. Consulte os seguintes gráficos para as súas referencias.
Selenuro de zinc (ZnSe)
Revestimento AR de banda ancha para o rango de 8 - 12 µm
Dispoñible de 15 a 200 mm
Ideal para CO2Aplicacións do láser
Material do substrato
Selenuro de zinc de grao láser (ZnSe)
Tipo
Lente dobre convexa (DCX).
Índice de refracción @ 10,6 µm
2.403
Número de abate (Vd)
Non definido
Coeficiente de expansión térmica (CTE)
7,1 x 10-6/℃ a 273K
Tolerancia de diámetro
Presión: +0,00/-0,10 mm | Alta precisión: +0,00/-0,02 mm
Tolerancia ao espesor
Presión: +/-0,10 mm | Alta precisión: +/-0,02 mm
Tolerancia de distancia focal
+/-0,1 %
Calidade da superficie (scratch-dig)
Presión: 60-40 | Alta precisión: 40-20
Potencia superficial esférica
3 λ/4
Irregularidade da superficie (pico a val)
λ/4
Centración
Precisión:< 3 arcmin | Alta precisión< 30 segundos de arco
Apertura clara
80% do diámetro
Gama de revestimentos AR
8 - 12 μm
Reflectancia sobre o rango de revestimento (@ 0° AOI)
Ravg< 1,0 %, Rabs< 2,0 %
Transmisión sobre o rango de revestimento (@ 0° AOI)
Tavg > 97 %, pestanas > 92 %
Lonxitude de onda de deseño
10,6 μm
Limiar de danos láser
> 5 J/cm2(100 ns, 1 Hz, @10,6 μm)