Saat memutuskan antara lensa plano-cembung dan lensa bi-cembung, yang keduanya menyebabkan cahaya datang terkolimasi menyatu, biasanya lebih baik memilih lensa plano-cembung jika perbesaran absolut yang diinginkan kurang dari 0,2 atau lebih besar dari 5 Di antara kedua nilai ini, lensa bi-cembung umumnya lebih disukai.
Karena jangkauan transmisinya yang luas (2 – 16 µm) dan sifat kimia yang stabil, Germanium sangat cocok untuk aplikasi laser IR, sangat baik untuk aplikasi keamanan, militer, dan pencitraan. Namun sifat transmisi Ge sangat sensitif terhadap suhu; faktanya, serapannya menjadi sangat besar sehingga germanium hampir buram pada 100 °C dan sepenuhnya non-transmisif pada 200 °C.
Paralight Optics menawarkan Lensa Germanium (Ge) Plano-cembung (PCX) yang tersedia dengan lapisan AR broadband untuk rentang spektral 8 µm hingga 12 µm yang disimpan di kedua permukaan. Lapisan ini sangat mengurangi reflektifitas permukaan media yang tinggi, menghasilkan transmisi rata-rata lebih dari 97% pada seluruh rentang lapisan AR. Periksa Grafik untuk referensi Anda.
Germanium (Ge)
Tidak dilapisi atau dengan DLC & Pelapis Antipantul Dioptimalkan untuk Kisaran 8 - 12 μm
Tersedia dari 15 hingga 1000 mm
Sangat baik untuk Aplikasi Keamanan, Militer, dan Pencitraan
Bahan Substrat
Germanium (Ge)
Jenis
Lensa Plano-Cembung (PCX).
Indeks Refraksi
4,003 @ 10,6 mikron
Nomor Abbe (Vd)
Tidak ditentukan
Koefisien Ekspansi Termal (CTE)
6,1x10-6/℃
Toleransi Diameter
Presisi: +0,00/-0,10 mm | Presisi Tinggi: +0,00/-0,02mm
Toleransi Ketebalan
Presisi: +/- 0,10 mm | Presisi Tinggi: +/- 0,02 mm
Toleransi Panjang Fokus
+/- 1%
Kualitas Permukaan (Penggalian Goresan)
Presisi: 60-40 | Presisi Tinggi: 40-20
Kerataan Permukaan (Sisi Plano)
/4
Kekuatan Permukaan Bulat (Sisi Cembung)
3 /4
Ketidakteraturan Permukaan (Puncak ke Lembah)
/4
Pemusatan
Tepat:<3 menit | Presisi Tinggi: <30 detik busur
Hapus Apertur
> 80% dari Diameter
Rentang Pelapisan AR
8 - 12 mikron
Transmisi melalui Rentang Pelapisan (@ 0° AOI)
Tag > 94%, Tab > 90%
Reflektansi pada Rentang Pelapisan (@ 0° AOI)
Ravg<1%, Rab< 2%
Desain Panjang Gelombang
10,6 mikron
Ambang Batas Kerusakan Laser
0,5 J/cm2(1 ns, 100 Hz, @10,6 μm)