Кремний (Si)
Плано-дөңгүл линзалар
Эки томпок линза менен эки томпок линзанын ортосунда чечим кабыл алууда, алардын экөө тең коллимацияланган түшкөн жарыктын биригишине алып келет, эгер каалаган абсолюттук чоңойтуу 0,2ден аз же андан жогору болсо, адатта плано-дөңсөө линзаны тандоо ылайыктуу. 5. Бул эки баалуулуктардын ортосунда эки томпок линзалар көбүнчө артыкчылыкка ээ.
Кремний жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүктү жана төмөн тыгыздыкты сунуш кылат. Бирок ал 9 микрондо күчтүү жутуу тилкеси бар, ал CO2 лазер өткөрүү колдонмолору менен колдонууга ылайыктуу эмес. Paralight Optics сунуштайт Silicon (Si) Plano-Convex линзалар эки бетинде сакталган 3 мкмден 5 мкмге чейинки спектрдик диапазон үчүн оптималдаштырылган кең тилкелүү AR каптоосу менен жеткиликтүү. Бул каптоо субстраттын беттик чагылышын кыйла азайтып, AR каптоо диапазонунда жогорку өткөрүүнү жана минималдуу сиңирүүнү камсыз кылат. Шилтемелериңиз үчүн Графиктерди текшериңиз.
Өзгөчөлүктөрү:
Материал:
Кремний (Si)
Субстрат:
Төмөн тыгыздык & Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк
Каптоо параметрлери:
Капталбаган же 3 - 5 мкм диапазон үчүн Antireflection & DLC каптоолору менен
Фокустук узундуктар:
15тен 1000 ммге чейин жеткиликтүү
Жалпы мүнөздөмөлөр:
Шилтеме чийме үчүн
Плано-томпок (PCX) линзасы
Диа: диаметри
f: Фокустук узундук
ff: Front Focus Length
fb: Артка Фокус узундугу
R: Радиус
tc: Борбордун калыңдыгы
te: Edge Thickness
H”: Артка Башкы тегиздик
Эскертүү: Фокустук узундук арткы негизги тегиздиктен аныкталат, ал сөзсүз эле четинин калыңдыгына туура келбейт.
Параметрлер
Диапазондор & Толеранттуулуктар
-
Субстрат материалы
Кремний (Si)
-
Type
Plano-Concex (PCX) линзасы
-
Refraction индекси
3,422 @ 4,58 мкм
-
Аббе саны (Vd)
аныкталган эмес
-
Жылуулук кеңейүү коэффициенти (CTE)
2,6 x 10-6/ 20℃
-
Диаметри толеранттуулук
Тактык: +0,00/-0,10мм | Жогорку тактык: +0,00/-0,02мм
-
Толеранттуулук
Тактык: +/-0,10 мм | Жогорку тактык: -0,02 мм
-
Фокустук узундукка сабырдуулук
+/- 1%
-
Беттин сапаты (Скретч-Диг)
Precison: 60-40 | Жогорку тактык: 40-20
-
Беттин тегиздиги (Плано тарап)
λ/4
-
Сфералык беттик кубаттуулугу (томпок тарап)
3 λ/4
-
Беттин туура эместиги (чокудан өрөөнгө чейин)
λ/4
-
Центрация
Тактык:<3 arcmin | Жогорку тактык: <30 жаа сек
-
Таза диафрагма
Диаметринин 90%
-
AR каптоо диапазону
3 - 5 мкм
-
Каптоо диапазонунда өткөрүү (@ 0° AOI)
Tavg > 98%
-
Каптоо диапазонунда чагылдыруу (@ 0° AOI)
Ravg< 1,25%
-
Дизайн толкун узундугу
4µm
-
Лазердик зыяндын босогосу
0,25 Дж/см2(6 нс, 30 кГц, @3,3μm)
Графиктер
♦ капталбаган Si субстраттын өткөрүү ийри сызыгы: 1,2ден 8 мкмге чейин жогорку өткөрүмдүүлүк
♦ AR-капталган Si субстраттын өткөрүү ийри сызыгы: 3 - 5 мкм диапазондо Tavg > 98%
♦ DLC + AR-капталган Si субстраттын өткөрүү ийри сызыгы: 3 - 5 мкм диапазондо Tavg > 90%
AR-капталган (3 - 5 мкм) кремний субстраттын өткөрүү ийри сызыгы
