Nd: YVO4
Nd: YVO4 Kristall ass ee vun den effizientesten Laser Host Kristallen déi aktuell existéieren fir Diode Laser gepompelt Solid State Laser. Seng grouss stimuléiert Emissioun Querschnitt bei lasende Wellelängt, héich Absorptiounskoeffizient a breet Absorptiounsbandbreedung bei der Pompelwellelängt, héich Laser-induzéierter Schuedschwell wéi och gutt physesch, optesch a mechanesch Eegeschafte maachen den Nd: YVO4 en exzellente Kristall fir héich Kraaft, stabil a stabil. kascht effektiv Diode gepompelt Solid-State Laser.
Fonctiounen an Uwendungen
★ Niddereg laseschwelle an héich Steigungseffizienz
★ Niddereg Ofhängegkeet vun Pompel Wellelängt
★ Grouss stimuléiert Emissioun Querschnitt bei lasende Wellelängt
★ Héich Absorptioun iwwer eng breet Pompelwellelängtbandbreedung
★ Optesch uniaxial a grouss birefringence emittéiert polariséiert Laser
★ Fir Single-longitudinal-Modus Output a kompakt Design
★ Diode Laser-gepompelt Nd: YVO4 kompakt Laser a seng Frequenz verduebelt gréng, rout oder blo Laser wäert déi ideal Laser Tools vun machining, Material Veraarbechtung, Spektroskopie, wafer Inspektioun, Liicht weisen, medezinesch Diagnostik, Laser Dréckerei an aner am meeschte verbreet ginn Uwendungen
Kierperlech Eegeschafte
| Atomdicht | ~1,37 x 1020 Atom/cm3 |
| Kristallstruktur | Zirkon Tetragonal, Raumgrupp D4h |
| a=b=7,12, c=6,29 | |
| Dicht | 4,22 g/cm3 |
| Mohs Hardness | Glas-ähnlech, ~5 |
| Thermesch Expansiounskoeffizient | a=4,43x10-6/K, c=11.37x10-6/K |
Optesch Eegeschaften
(typesch fir 1,1 atm% Nd:YVO4, a-geschniddene Kristalle)
| Lasing Wellelängten | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Thermal opteschen Koeffizient | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| Stimuléiert Emissioun Kräiz-Sektioun | 25,0 x 10-19 cm2@1064nm |
| Fluorescent Liewensdauer | 90us @808nm, (50us @808nm fir 2atm% Nd dotéiert) |
| Absorptiounskoeffizient | 31,4 cm-1@808nm |
| Absorptioun Längt | 0,32 mm @ 808 nm |
| Intrinsesch Verloscht | Manner wéi 0,1% cm-1@1064nm |
| Bandwidth gewannen | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Polariséiert Laser Emissioun | p Polarisatioun, Parallel zu der optescher Achs (c-Achs) |
| Diode Pompel optesch zu optesch Effizienz | >60% |
| Crystal Class | Positiv uniaxial, nee=na=nb, ne=nc, nee=1.9573, ne=2.1652, @1064nm nee=1.9721, ne=2.1858, @808nm nee=2.0210, ne=2.2560, @532nm |
| Sellmeier Equatioun (fir pure YVO4 Kristaller, λ an um) | no2=3,77834+0,069736/(λ2-0,04724)-0,0108133λ2 ne2=4,59905+0,110534/(λ2-0,04813)-0,0122676λ2 |
Laser Eegeschaften
(Nd:YVO4 vs Nd:YAG)
| Laser Crystal | Nd dotéiert | σ | α | τ | La | Pth | η |
| (atm%) | (x10-19cm2) | (cm-1) | (cm-1) | (mm) | (mW) | (%) | |
| Nd:YVO4(a-cut) | 1.1 | 25 | 31.2 | 90 | 0,32 | 78 | 48,6 |
| 2 | 72,4 | 50 | 0.14 | ||||
| Nd:YVO4(c-cut) | 1.1 | 7 | 9.2 | 90 | 231 | 45,5 | |
| Nd: JAG | 0,85 | 6 | 7.1 | 230 | 1.41 | 115 | 38,6 |
Schlëssel Spezifikatioune
| Parameteren | Beräicher oder Toleranzen |
| Nd Dopant Niveau | 0,1-5,0 op m% |
| Streuung | Onsichtbar, gepréift mat engem He-Ne Laser |
| Orientéierung Toleranz | ± 0,5 Grad |
| Dimensional Toleranz | ± 0,1 mm |
| Surface Quality (Scratch-Dig) | 10-5 |
| Kloer Apertur | > 90% |
| Fläch Flächheet | < λ/10 @ 633 nm |
| Wavefront Feeler | < λ/8 @ 633 nm |
| Parallelismus | < 10 Arcsec |
| Enn-Gesiichter Configuratioun | Plano / Plano |
| Intrinsesch Verloscht | < 0,1% cm-1 |
| Beschichtungen | AR 1064 & HT 808: R < 0,1% @1064nm, R<5% @ 808nm HR 1064 & HT 808 & HR 532: R>99,8% @1064nm, R<5% @808nm, r="">99% @ 532nm AR 1064: R<0,1% @ 1064nm |
Fir méi Informatiounen iwwer aner Kristallsaarte wéi netlinear Kristall [BBO (Beta-BaB2O4), Kalium Titanoxidphosphat (KTiOPO4 oder KTP)], Passiv Q-Switch Crystal [Cr: YAG (Cr4+: Y3Al5O12)], EO Crystal [ Lithium Niobat (LiNbO3), BBO Kristall, Birefringent Kristall [Yttrium Orthovanadate (YVO4), Calcite, Lithium Niobate (LiNbO3), Héichtemperatur Form BBO (α-BaB2O4), Single Synthetic Crystal Quartz, Magnesium Fluorid (MgF2)] oder kréien engem Zitat, weg fillen gratis eis ze kontaktéieren.
