Wann se benotzt fir d'Liicht an de Strahlausdehnungsapplikatiounen ze divergéieren, soll d'konkave Uewerfläch géint de Strahl konfrontéieren fir d'Sphäresch Aberratioun ze minimiséieren. Wann se a Kombinatioun mat enger anerer Lens benotzt gëtt, wäert eng negativ Meniskusobjektiv d'Brennwäit erhéijen an d'numeresch Apertur (NA) vum System erofsetzen.
ZnSe Lënse sinn ideal fir CO2 Laser Uwendung wéinst exzellente Imaging Charakteristiken an héich Resistenz géint thermesch Schock. Paralight Optics bitt Zink Selenide (ZnSe) negativ Meniskuslënsen, dës Lënsen reduzéieren den NA vun engem optesche System a si verfügbar mat enger Breetband Anti-Reflexiounsbeschichtung, déi optiméiert ass fir den 8 µm bis 12 μm Spektralberäich op béide Flächen a Rendementer deposéiert. eng duerchschnëttlech Iwwerdroung iwwer 97% iwwer de ganze AR Beschichtungsberäich.
Zink Selenid (ZnSe)
Onbeschichtet oder mat Antireflexiounsbeschichtungen
Verfügbar vun -40 bis -1000 mm
Fir den NA vun engem opteschen System ze reduzéieren
Substrat Material
Laser-Grade Zink Selenid (ZnSe)
Typ
Negativ Menisk Lens
Index vun Refraktioun
2.403 @10.6 µm
Abbe Nummer (Vd)
Net definéiert
Thermal Expansiounskoeffizient (CTE)
7,1x10-6/℃ bei 273K
Duerchmiesser Toleranz
Präzisioun: +0,00/-0,10 mm | Héich Präzisioun: +0.00/-0.02mm
Zentrum Dicke Toleranz
Präzisioun: +/- 0,10 mm | Héich Präzisioun: +/- 0,02 mm
Brennwäit Toleranz
+/- 1%
Surface Quality (Scratch-Dig)
Präzisioun: 60-40 | Héich Präzisioun: 40-20
Kugelgestalt Surface Power
3 λ/4
Surface Irregularity (Peak to Valley)
λ/4
Zentratioun
Präzisioun:< 3 arcmin | Héich Präzisioun:<30 Arcsec
Kloer Apertur
80% vun Duerchmiesser
AR Coating Range
8-12 μm
Reflexioun iwwer Beschichtungsberäich (@ 0° AOI)
Ravg< 1,5%
Iwwerdroung iwwer Beschichtungsberäich (@ 0° AOI)
Tavg > 97%
Design Wellelängt
10,6 μm
Laser Schued Schwell (Pulséiert)
5 J/cm2(100 ns, 1 Hz, @10.6μm)