Nd: YVO4
Nd: YVO4 क्रिस्टल हाल डायोड लेजर पम्प गरिएको ठोस राज्य लेजरहरूको लागि अवस्थित सबैभन्दा कुशल लेजर होस्ट क्रिस्टल हो। लेसिङ तरंग लम्बाइमा यसको ठूलो उत्तेजित उत्सर्जन क्रस-सेक्शन, उच्च अवशोषण गुणांक र पम्प तरंग लम्बाइमा व्यापक अवशोषण ब्यान्डविथ, उच्च लेजर प्रेरित क्षति थ्रेसहोल्ड साथै राम्रो भौतिक, अप्टिकल र मेकानिकल गुणहरूले Nd:YVO4 लाई उच्च शक्ति, स्थिर र लागि उत्कृष्ट क्रिस्टल बनाउँछ। लागत प्रभावी डायोड पम्प ठोस राज्य लेजरहरू।
सुविधाहरू र अनुप्रयोगहरू
★ कम लेसिङ थ्रेसहोल्ड र उच्च ढलान दक्षता
★ पम्प तरंगदैर्ध्य मा कम निर्भरता
★ लेसिङ तरंगदैर्ध्यमा ठूलो उत्तेजित उत्सर्जन क्रस-सेक्शन
★ फराकिलो पम्पिंग तरंगदैर्ध्य ब्यान्डविथमा उच्च अवशोषण
★ अप्टिकली एकअक्षीय र ठूलो बायरफ्रिन्जेन्सले ध्रुवीकृत लेजर उत्सर्जन गर्दछ
★ एकल-देशीय-मोड आउटपुट र कम्प्याक्ट डिजाइनको लागि
★ डायोड लेजर-पम्प गरिएको Nd:YVO4 कम्प्याक्ट लेजर र यसको फ्रिक्वेन्सी दोब्बर हरियो, रातो वा नीलो लेजर मेसिनिङ, सामग्री प्रशोधन, स्पेक्ट्रोस्कोपी, वेफर निरीक्षण, लाइट शो, मेडिकल डायग्नोस्टिक्स, लेजर प्रिन्टिङ र अन्य सबैभन्दा व्यापक रूपमा प्रयोग हुने लेजर उपकरणहरू हुनेछन्। अनुप्रयोगहरू
भौतिक गुणहरू
| परमाणु घनत्व | ~1.37x1020 परमाणु/सेमी3 |
| क्रिस्टल संरचना | जिरकोन टेट्रागोनल, स्पेस ग्रुप D4h |
| a=b=7.12, c=6.29 | |
| घनत्व | ४.२२ ग्राम/सेमी3 |
| Mohs कठोरता | गिलास जस्तो, ~5 |
| थर्मल विस्तार गुणांक | a=4.43x10-6/K, c=11.37x10-6/K |
अप्टिकल गुणहरू
(सामान्यतया १.१ atm% Nd: YVO4, एक-कट क्रिस्टलको लागि)
| Lasing तरंगदैर्ध्य | 914nm, 1064nm, 1342nm |
| थर्मल अप्टिकल गुणांक | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| उत्तेजित उत्सर्जन क्रस-सेक्शन | 25.0x10-19 सेमी2@1064nm |
| फ्लोरोसेन्ट जीवनकाल | 90us @808nm, (2atm% Nd doped को लागि 50us @808 nm) |
| अवशोषण गुणांक | 31.4 सेमी-1@808nm |
| अवशोषण लम्बाइ | ०.३२ मिमी @८०८nm |
| आन्तरिक हानि | 0.1% cm-1@1064nm भन्दा कम |
| ब्यान्डविथ प्राप्त गर्नुहोस् | 0.96 nm (257 GHz) @1064nm |
| ध्रुवीकृत लेजर उत्सर्जन | p ध्रुवीकरण, अप्टिक अक्षको समानान्तर (c-अक्ष) |
| डायोड पम्प गरिएको अप्टिकल देखि अप्टिकल दक्षता | >60% |
| क्रिस्टल क्लास | सकारात्मक एकअक्षीय, no=na=nb, ne=nc, no=1.9573, ne=2.1652, @1064nm no=1.9721, ne=2.1858, @808nm no=2.0210, ne=2.2560, @532nm |
| Sellmeier समीकरण (शुद्ध YVO4 क्रिस्टलको लागि, λ मा um) | no2=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.0108133λ2 ne2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.0122676λ2 |
लेजर गुण
(Nd:YVO4 बनाम Nd:YAG)
| लेजर क्रिस्टल | एनडी डोपेड | σ | α | τ | La | Pth | η |
| (एटीएम%) | (x10-19cm2) | (cm-1) | (cm-1) | (मिमी) | (mW) | (%) | |
| Nd: YVO4(a-cut) | १.१ | 25 | ३१.२ | 90 | ०.३२ | 78 | ४८.६ |
| 2 | ७२.४ | 50 | ०.१४ | ||||
| Nd: YVO4(c-cut) | १.१ | 7 | ९.२ | 90 | २३१ | ४५.५ | |
| Nd: YAG | ०.८५ | 6 | ७.१ | 230 | १.४१ | ११५ | ३८.६ |
प्रमुख विनिर्देशहरू
| प्यारामिटरहरू | दायरा वा सहिष्णुता |
| एनडी डोपान्ट स्तर | m% मा ०.१-५.० |
| बिखर्ने | अदृश्य, हे-ने लेजरको साथ जाँच गरिएको |
| अभिमुखीकरण सहिष्णुता | ± ०.५ डिग्री |
| आयामी सहिष्णुता | ± ०.१ मिमी |
| सतह गुणस्तर (स्क्र्याच-डिग) | 10-5 |
| एपर्चर खाली गर्नुहोस् | > ९०% |
| सतह समतलता | < λ/10 @ 633 एनएम |
| वेभफ्रन्ट त्रुटि | < λ/8 @ 633 nm |
| समानान्तरता | <10 आर्कसेक |
| अन्त-अनुहार कन्फिगरेसन | प्लानो / प्लानो |
| आन्तरिक हानि | <0.1% सेमी-1 |
| कोटिंग्स | AR 1064 र HT 808: R <0.1% @1064nm, R<5% @ 808nm HR 1064 & HT 808 & HR 532: R>99.8% @1064nm, R<5% @ 808nm, r="">99% @ 532nm AR 1064: R<0.1% @ 1064nm |
अन्य प्रकारको क्रिस्टलको बारेमा थप जानकारीको लागि जस्तै Nonlinear Crystal [BBO (Beta-BaB2O4), पोटासियम टाइटेनियम अक्साइड फास्फेट (KTiOPO4 वा KTP)], निष्क्रिय Q-स्विच क्रिस्टल [Cr: YAG (Cr4+:Y3Al5O12), EO Crystal लिथियम निओबेट (LiNbO3), BBO क्रिस्टल], Birefringent क्रिस्टल [Yttrium Orthovanadate (YVO4), क्याल्साइट, लिथियम Niobate (LiNbO3), उच्च तापमान फारम BBO (α-BaB2O4), एकल सिंथेटिक क्रिस्टल क्वार्ट्ज, म्याग्नेसियम (F2M) एक उद्धरण, कृपया हामीलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्।
