Nd:YVO4
Nd:YVO4 ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਭ ਤੋਂ ਕੁਸ਼ਲ ਲੇਜ਼ਰ ਹੋਸਟ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ ਜੋ ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ ਡਾਇਓਡ ਲੇਜ਼ਰ ਪੰਪ ਕੀਤੇ ਠੋਸ ਸਟੇਟ ਲੇਜ਼ਰਾਂ ਲਈ ਮੌਜੂਦ ਹੈ। ਲੇਸਿੰਗ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 'ਤੇ ਇਸਦਾ ਵੱਡਾ ਉਤਸਾਹਿਤ ਐਮਿਸ਼ਨ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨ, ਪੰਪ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 'ਤੇ ਉੱਚ ਸੋਖਣ ਗੁਣਾਂਕ ਅਤੇ ਵਿਆਪਕ ਸਮਾਈ ਬੈਂਡਵਿਡਥ, ਉੱਚ ਲੇਜ਼ਰ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਚੰਗੀ ਭੌਤਿਕ, ਆਪਟੀਕਲ ਅਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ Nd:YVO4 ਨੂੰ ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ, ਸਥਿਰ ਅਤੇ ਲਈ ਇੱਕ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ। ਲਾਗਤ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਡਾਇਡ ਪੰਪ ਕੀਤੇ ਠੋਸ-ਸਟੇਟ ਲੇਜ਼ਰ।
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ
★ ਘੱਟ ਲੇਸਿੰਗ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਅਤੇ ਉੱਚ ਢਲਾਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ
★ ਪੰਪ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ 'ਤੇ ਘੱਟ ਨਿਰਭਰਤਾ
★ ਲੇਸਿੰਗ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 'ਤੇ ਵੱਡਾ ਉਤੇਜਿਤ ਐਮਿਸ਼ਨ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨ
★ ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਪੰਪਿੰਗ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਉੱਤੇ ਉੱਚ ਸਮਾਈ
★ ਆਪਟੀਕਲੀ ਯੂਨੀਐਕਸੀਅਲ ਅਤੇ ਵੱਡੀ ਬਾਇਰਫ੍ਰਿੰਗੈਂਸ ਪੋਲਰਾਈਜ਼ਡ ਲੇਜ਼ਰ ਨੂੰ ਛੱਡਦੀ ਹੈ
★ ਸਿੰਗਲ-ਲੌਂਜੀਟੂਡੀਨਲ-ਮੋਡ ਆਉਟਪੁੱਟ ਅਤੇ ਸੰਖੇਪ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਈ
★ ਡਾਇਓਡ ਲੇਜ਼ਰ-ਪੰਪਡ Nd:YVO4 ਕੰਪੈਕਟ ਲੇਜ਼ਰ ਅਤੇ ਇਸਦੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ-ਦੁੱਗਣੀ ਹਰੇ, ਲਾਲ ਜਾਂ ਨੀਲੇ ਲੇਜ਼ਰ ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ, ਮਟੀਰੀਅਲ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ, ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ, ਵੇਫਰ ਇੰਸਪੈਕਸ਼ਨ, ਲਾਈਟ ਸ਼ੋਅ, ਮੈਡੀਕਲ ਡਾਇਗਨੌਸਟਿਕਸ, ਲੇਜ਼ਰ ਪ੍ਰਿੰਟਿੰਗ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਵਿਆਪਕ ਹੋਣ ਦੇ ਆਦਰਸ਼ ਲੇਜ਼ਰ ਟੂਲ ਹੋਣਗੇ। ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ
ਭੌਤਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
| ਪਰਮਾਣੂ ਘਣਤਾ | ~1.37x1020 ਪਰਮਾਣੂ/ਸੈ.ਮੀ3 |
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | Zircon Tetragonal, ਸਪੇਸ ਗਰੁੱਪ D4h |
| a=b=7.12, c=6.29 | |
| ਘਣਤਾ | 4.22 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ3 |
| ਮੋਹਸ ਕਠੋਰਤਾ | ਕੱਚ ਵਰਗਾ, ~5 |
| ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ ਗੁਣਾਂਕ | a=4.43x10-6/K, c=11.37x10-6/K |
ਆਪਟੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ
(ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 1.1 atm% Nd:YVO4, a-ਕੱਟ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਲਈ)
| ਲੇਸਿੰਗ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ | 914nm, 1064nm, 1342nm |
| ਥਰਮਲ ਆਪਟੀਕਲ ਗੁਣਾਂਕ | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| ਉਤੇਜਿਤ ਐਮੀਸ਼ਨ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨ | 25.0x10-19cm2@1064nm |
| ਫਲੋਰਸੈਂਟ ਲਾਈਫਟਾਈਮ | 90us @808nm, (2atm% Nd ਡੋਪਡ ਲਈ 50us @808 nm) |
| ਸਮਾਈ ਗੁਣਾਂਕ | 31.4 ਸੈ.ਮੀ-1@808nm |
| ਸਮਾਈ ਦੀ ਲੰਬਾਈ | 0.32 ਮਿਲੀਮੀਟਰ @ 808nm |
| ਅੰਦਰੂਨੀ ਨੁਕਸਾਨ | 0.1% cm-1@1064nm ਤੋਂ ਘੱਟ |
| ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਹਾਸਲ ਕਰੋ | 0.96 nm (257 GHz) @1064nm |
| ਪੋਲਰਾਈਜ਼ਡ ਲੇਜ਼ਰ ਨਿਕਾਸ | p ਧਰੁਵੀਕਰਨ, ਆਪਟਿਕ ਧੁਰੇ ਦੇ ਸਮਾਨਾਂਤਰ (c-ਧੁਰਾ) |
| ਡਾਇਡ ਪੰਪਡ ਆਪਟੀਕਲ ਤੋਂ ਆਪਟੀਕਲ ਕੁਸ਼ਲਤਾ | >60% |
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਕਲਾਸ | ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਇਕ-ਅਕਸ਼ੀ, no=na=nb, ne=nc, no=1.9573, ne=2.1652, @1064nm no=1.9721, ne=2.1858, @808nm no=2.0210, ne=2.2560, @532nm |
| ਸੇਲਮੀਅਰ ਸਮੀਕਰਨ (ਸ਼ੁੱਧ YVO4 ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਲਈ, λ ਵਿੱਚ um) | no2=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.0108133λ2 ne2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.0122676λ2 |
ਲੇਜ਼ਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ
(Nd:YVO4 ਬਨਾਮ Nd:YAG)
| ਲੇਜ਼ਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ | Nd ਡੋਪਡ | σ | α | τ | La | ਪਥ | η |
| (ATM%) | (x10-19cm2) | (cm-1) | (cm-1) | (mm) | (mW) | (%) | |
| Nd:YVO4(a-cut) | 1.1 | 25 | 31.2 | 90 | 0.32 | 78 | 48.6 |
| 2 | 72.4 | 50 | 0.14 | ||||
| Nd:YVO4(c-ਕਟ) | 1.1 | 7 | 9.2 | 90 | 231 | 45.5 | |
| Nd: YAG | 0.85 | 6 | 7.1 | 230 | 1.41 | 115 | 38.6 |
ਮੁੱਖ ਨਿਰਧਾਰਨ
| ਪੈਰਾਮੀਟਰ | ਸੀਮਾਵਾਂ ਜਾਂ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ |
| ਐਨਡੀ ਡੋਪੈਂਟ ਪੱਧਰ | m% 'ਤੇ 0.1-5.0 |
| ਖਿੰਡਾਉਣਾ | ਅਦਿੱਖ, ਇੱਕ He-Ne ਲੇਜ਼ਰ ਨਾਲ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ ਗਈ |
| ਸਥਿਤੀ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ | ± 0.5 ਡਿਗਰੀ |
| ਅਯਾਮੀ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ | ± 0.1 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਸਤਹ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ (ਸਕ੍ਰੈਚ-ਡਿਗ) | 10-5 |
| ਅਪਰਚਰ ਸਾਫ਼ ਕਰੋ | > 90% |
| ਸਤਹ ਦੀ ਸਮਤਲਤਾ | < λ/10 @ 633 nm |
| ਵੇਵਫਰੰਟ ਗਲਤੀ | < λ/8 @ 633 nm |
| ਸਮਾਨਤਾ | < 10 ਆਰਕਸੈਕ |
| ਸਿਰੇ ਦੇ ਚਿਹਰੇ ਦੀ ਸੰਰਚਨਾ | ਪਲੈਨੋ / ਪਲਾਨੋ |
| ਅੰਦਰੂਨੀ ਨੁਕਸਾਨ | <0.1% ਸੈ.ਮੀ-1 |
| ਪਰਤ | AR 1064 ਅਤੇ HT 808: R <0.1% @1064nm, R<5% @808nm HR 1064 ਅਤੇ HT 808 ਅਤੇ HR 532: R>99.8% @1064nm, R<5% @ 808nm, r="">99% @ 532nm AR 1064: R<0.1% @ 1064nm |
ਹੋਰ ਕਿਸਮ ਦੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਨਾਨਲਾਈਨਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ [BBO (Beta-BaB2O4), ਪੋਟਾਸ਼ੀਅਮ ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਆਕਸਾਈਡ ਫਾਸਫੇਟ (KTiOPO4 ਜਾਂ KTP)], ਪੈਸਿਵ ਕਿਊ-ਸਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲ [Cr: YAG (Cr4+:Y3Al5O12), EO Crystal ਬਾਰੇ ਹੋਰ ਜਾਣਕਾਰੀ ਲਈ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ (LiNbO3), BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ], ਬੀਰਫ੍ਰਿੰਜੈਂਟ ਕ੍ਰਿਸਟਲ [Yttrium Orthovanadate (YVO4), ਕੈਲਸਾਈਟ, ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ (LiNbO3), ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਫਾਰਮ BBO (α-BaB2O4), ਸਿੰਗਲ ਸਿੰਥੈਟਿਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਕੁਆਰਟਜ਼, ਮੈਗਨੀਸ਼ੀਅਮ (F2M) ਜਾਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰੋ] ਇੱਕ ਹਵਾਲਾ, ਕਿਰਪਾ ਕਰਕੇ ਸਾਡੇ ਨਾਲ ਸੰਪਰਕ ਕਰਨ ਲਈ ਸੁਤੰਤਰ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰੋ.
