سلڪون (سي)
Plano-Convex لينس
جڏهن هڪ پلانو-مٿيل لينس ۽ هڪ ٻائي-مٿيل لينس جي وچ ۾ فيصلو ڪيو وڃي، جنهن ۾ ٻنهي جو سبب بڻجندڙ واقعن جي روشني هڪ ٻئي سان ٺهڪي اچي ٿي، اهو عام طور تي هڪ پلانو-مٿيل لينس چونڊڻ لاء وڌيڪ موزون آهي جيڪڏهن گهربل مطلق ميگنيفڪيشن يا ته 0.2 کان گهٽ يا ان کان وڌيڪ آهي. 5. انهن ٻن قدرن جي وچ ۾، عام طور تي bi-convex لينس کي ترجيح ڏني ويندي آهي.
Silicon اعلي حرارتي چالکائي ۽ گهٽ کثافت پيش ڪري ٿو. تنهن هوندي به ان ۾ 9 مائڪرن تي هڪ مضبوط جذب بينڊ آهي، اهو CO2 ليزر ٽرانسميشن ايپليڪيشنن سان استعمال لاء مناسب ناهي. Paralight Optics پيش ڪري ٿو Silicon (Si) Plano-Convex لينس هڪ براڊ بينڊ AR ڪوٽنگ سان دستياب آهن جيڪي ٻنهي سطحن تي جمع ٿيل 3 µm کان 5 μm اسپيڪٽرل رينج لاءِ بهتر ڪيل آهن. ھي ڪوٽنگ تمام گھٽ گھٽائي ٿو مٿاڇري جي عڪاسي کي گھٽائي ٿو سبسٽرٽ، حاصل ڪري ٿو اعلي ٽرانسميشن ۽ گھٽ ۾ گھٽ جذب سڄي AR ڪوٽنگ رينج تي. توهان جي حوالن لاء گراف چيڪ ڪريو.
خاصيتون:
مواد:
سلڪون (سي)
ذيلي ذخيرو:
گھٽ کثافت ۽ اعلي حرارتي چالکائي
ڪوٽنگ جا اختيار:
3 - 5 μm جي حد لاءِ اڻ ڪوئٽ ٿيل يا اينٽي ريفليشن ۽ ڊي ايل سي ڪوٽنگن سان
فوڪل ڊگھائي:
15 کان 1000 ملي ميٽر تائين موجود آهي
عام وضاحتون:
ريفرنس ڊرائنگ لاءِ
Plano-convex (PCX) لينس
ديا: قطر
f: فوڪل ڊگھائي
ff: فرنٽ فوڪل ڊگھائي
fb: پوئتي فوڪل ڊگھائي
ر: ريڊيس
tc: مرڪز ٿلهي
te: کنڊ جي ٿلهي
H": پوئتي پرنسپل جهاز
نوٽ: مرڪزي ڊگھائي پٺئين پرنسپل جهاز مان طئي ڪئي ويندي آهي، جيڪو ضروري ناهي ته ڪنڊ جي ٿلهي سان گڏ هجي.
پيرا ميٽر
حدون ۽ رواداري
-
ذيلي ذخيرو مواد
سلڪون (سي)
-
قسم
Plano-Concex (PCX) لينس
-
انڊيڪس آف ريفرڪشن
3.422 @ 4.58 μm
-
ايبي نمبر (Vd)
وضاحت نه ڪئي وئي آهي
-
حرارتي توسيع جي کوٽائي (CTE)
2.6 x 10-6/ 20 ℃ تي
-
قطر رواداري
درستي: +0.00/-0.10mm | هاء سڌائي: +0.00/-0.02mm
-
ٿولهه رواداري
درستي: +/-0.10 ملي ميٽر | هاء سڌائي: -0.02mm
-
فوڪل ڊگھائي رواداري
+/- 1%
-
مٿاڇري جو معيار (اسڪريچ-ڊگ)
Precison: 60-40 | اعلي سڌائي: 40-20
-
سطح جي برابري (پلانو پاسي)
λ/4
-
گول مٿاڇري جي طاقت (مقعد طرف)
3 λ/4
-
سطح جي بي ضابطگي (چوٽي کان وادي)
λ/4
-
مرڪز
درستي:<3 آرڪمين | هاء سڌائي: <30 arcsec
-
ايپرچر صاف ڪريو
قطر جو 90٪
-
آر ڪوٽنگ جي حد
3 - 5 μm
-
ڪوٽنگ رينج مٿان ٽرانسميشن (@ 0° AOI)
ٽي وي جي > 98%
-
ڪوٽنگ جي حد تي موٽڻ (@ 0° AOI)
راڳ< 1.25٪
-
ڊيزائن موج جي ڊيگهه
4µm
-
ليزر نقصان جي حد
0.25 جي / سينٽ2(6 ns، 30 kHz، @3.3μm)
گرافس
♦ اڻ سڌريل سي سبسٽريٽ جي ٽرانسميشن وکر: 1.2 کان 8 μm تائين اعلي ٽرانسميشن
♦ AR-Coated Si substrate جو ٽرانسميشن وکر: Tavg > 98% مٿان 3 - 5 μm جي حد
♦ ٽرانسميشن وکر جو DLC + AR-Coated Si substrate: Tavg > 90% مٿان 3 - 5 μm جي حد
AR-Coated (3 - 5 μm) Silicon Substrate جو ٽرانسميشن وکر
