Lénsa ZnSe hususna cocog pikeun dianggo sareng laser CO2 kakuatan tinggi. Kusabab indéks réfraktif anu luhur tina ZnSe, urang tiasa nawiskeun desain bentuk bulat anu pangsaéna pikeun ZnSe, nyaéta desain meniscus anu positif. Lénsa ieu nyababkeun panyimpangan leutik, ukuran titik, sareng kasalahan payun gelombang anu dibandingkeun sareng lénsa bentuk pangsaéna anu didamel ku bahan sanés.
Paralight Optics nawiskeun Lensa Meniscus Positif Zinc Selenide (ZnSe) anu sayogi kalayan palapis AR broadband anu dioptimalkeun pikeun rentang spéktral 8 µm dugi ka 12 µm anu disimpen dina dua permukaan. palapis Ieu greatly ngurangan reflectivity permukaan luhur substrat, ngahasilkeun hiji transmisi rata leuwih ti 97% dina sakabéh rentang palapis AR.
Séng Selenide (ZnSe)
Henteu dilapis atanapi nganggo Lapisan Antirefleksi pikeun 8 - 12 μm
Sadia ti 15 nepi ka 200 mm
Pikeun Ngaronjatkeun NA tina Sistem Optik
Bahan substrat
Séng Selenide Kelas Laser (ZnSe)
Tipe
Lensa Meniscus Positip
Indéks réfraksi (nd)
2.403
Nomer Abbe (Vd)
Teu dihartikeun
Koéfisién Ékspansi Termal (CTE)
7,1 x 10-6/℃
Toleransi diaméterna
Precision: +0,00 / -0,10mm | Precision Luhur: +0,00 / -0,02mm
Puseur Kandel kasabaran
Ketepatan: +/- 0,10 mm | Precision Luhur: +/- 0,02 mm
Toléransi Panjang Fokus
+/- 1%
Kualitas Permukaan (Scratch-Dig)
Precision: 60-40 | Precision tinggi: 40-20
Kakuatan Surface buleud
3 l/4
Irregularity Permukaan (Puncak ka Lebak)
λ/4
séntral
Presisi:< 3 arcmin | Precision luhur:<30 arcsec
Hapus aperture
80% diaméterna
AR palapis Range
8 - 12 μm
Pantulan dina rentang palapis (@ 0° AOI)
Ravg< 1,0%, Rabs< 2,0%
Pangiriman dina rentang palapis (@ 0° AOI)
Tavg > 97%, Tab > 92%
Desain Panjang gelombang
10,6 μm
Ambang Karusakan Laser (Pulsed)
5 J/cm2(100 ns, 1 Hz, @10,6μm)