English
  • Thấu kính khum âm bản ZnSe

kẽm selenua
Thấu kính khum âm

Thấu kính khum chủ yếu được sử dụng để lấy nét ở kích thước điểm nhỏ hoặc các ứng dụng chuẩn trực. Chúng mang lại hiệu suất vượt trội đáng kể bằng cách giảm đáng kể quang sai hình cầu. Thấu kính khum âm (lồi-lõm), bao gồm một bề mặt lồi và một bề mặt lõm và ở giữa mỏng hơn ở các cạnh và làm cho các tia sáng phân kỳ, được thiết kế để giảm thiểu quang sai hình cầu trong hệ thống quang học.

Khi được sử dụng để phân kỳ ánh sáng trong các ứng dụng mở rộng chùm tia, bề mặt lõm phải hướng về phía chùm tia để giảm thiểu quang sai cầu. Khi sử dụng kết hợp với thấu kính khác, thấu kính khum âm sẽ tăng tiêu cự và giảm khẩu độ số (NA) của hệ thống.

Thấu kính ZnSe lý tưởng cho ứng dụng laser CO2 do đặc tính hình ảnh tuyệt vời và khả năng chống sốc nhiệt cao. Paralight Optics cung cấp thấu kính khum âm Zinc Selenide (ZnSe), những thấu kính này làm giảm NA của hệ thống quang học và có sẵn lớp phủ chống phản xạ băng thông rộng, được tối ưu hóa cho dải quang phổ 8 µm đến 12 µm lắng đọng trên cả hai bề mặt và hiệu suất tỷ lệ truyền trung bình vượt quá 97% trên toàn bộ phạm vi phủ AR.

đài phát thanh biểu tượng

Đặc trưng:

Vật liệu:

Kẽm Selenua (ZnSe)

Tùy chọn lớp phủ:

Không tráng phủ hoặc có lớp phủ chống phản xạ

Độ dài tiêu cự:

Có sẵn từ -40 đến -1000 mm

Ứng dụng:

Để giảm NA của hệ thống quang học

tính năng biểu tượng

Thông số kỹ thuật chung:

pro-liên quan-ico

Bản vẽ tham khảo cho

Thấu kính khum âm

f: Tiêu cự
fb: Tiêu cự phía sau
R: Bán kính cong
tc: Độ dày trung tâm
te: Độ dày cạnh
H”: Trở lại mặt phẳng chính

Lưu ý: Tiêu cự được xác định từ mặt phẳng chính phía sau, không nhất thiết phải thẳng hàng với độ dày của cạnh.

 

Thông số

Phạm vi & Dung sai

  • Vật liệu nền

    Kẽm Selenua cấp độ laze (ZnSe)

  • Kiểu

    Thấu kính khum âm

  • chỉ số khúc xạ

    2.403 @10.6 µm

  • Số Abbe (Vd)

    Không được xác định

  • Hệ số giãn nở nhiệt (CTE)

    7.1x10-6/oC ở mức 273K

  • Dung sai đường kính

    Độ chính xác: +0,00/-0,10mm | Độ chính xác cao: +0,00/-0,02mm

  • Dung sai độ dày trung tâm

    Độ chính xác: +/- 0,10 mm | Độ chính xác cao: +/- 0,02 mm

  • Dung sai độ dài tiêu cự

    +/- 1%

  • Chất lượng bề mặt (Scratch-Dig)

    Độ chính xác: 60-40 | Độ chính xác cao: 40-20

  • Sức mạnh bề mặt hình cầu

    3 λ/4

  • Bề mặt không đều (Đỉnh đến Thung lũng)

    λ/4

  • Định tâm

    Chính xác:< 3 phút cung | Độ chính xác cao:< 30 giây

  • Khẩu độ rõ ràng

    80% đường kính

  • Phạm vi phủ AR

    8 - 12 mm

  • Phản xạ trên phạm vi lớp phủ (@ 0° AOI)

    Ravg< 1,5%

  • Truyền qua phạm vi phủ (@ 0° AOI)

    Mục tiêu > 97%

  • Bước sóng thiết kế

    10,6 mm

  • Ngưỡng sát thương của tia laser (Xung)

    5J/cm22(100 ns, 1 Hz, @ 10,6μm)

đồ thị-img

Đồ thị

♦ Đường cong truyền của lớp nền ZnSe không phủ dày 5 mm: độ truyền cao từ 0,16 µm đến 16 μm
♦ Đường cong truyền của Cửa sổ ZnSe phủ AR dày 5 mm: Tavg > 97% trên phạm vi 8 µm - 12 µm

dòng sản phẩm-img

Đường cong truyền của cửa sổ ZnSe phủ AR (8 µm - 12 µm) 5 mm

Sản phẩm liên quan

Nhấn enter để tìm kiếm hoặc ESC để đóng