English
  • DCV-Ống kính-ZnSe-1

Kẽm Selenua (ZnSe)
Thấu kính hai mặt lõm

Thấu kính hai mặt lõm hoặc lõm đôi (DCV) có tiêu cự âm. Những thấu kính phân kỳ này có thể được sử dụng để phân kỳ chùm tia chuẩn trực thành một tiêu điểm ảo và thường được sử dụng trong thiết bị giãn nở chùm tia kiểu Galileo. Chúng cũng thường được sử dụng để phân kỳ hoặc tăng độ phân kỳ của chùm tia hội tụ. Trong các hệ thống quang học, các nhà nghiên cứu thường chọn hệ thống quang học của họ một cách cẩn thận sao cho quang sai do thấu kính tiêu cự dương và tiêu cự âm gây ra gần như triệt tiêu. Những người khác sử dụng các thấu kính này theo cặp để tăng tiêu cự hiệu dụng của thấu kính hội tụ giống như thấu kính khum âm.

Khi quyết định giữa thấu kính phẳng lõm và thấu kính lõm hai mặt, cả hai đều làm cho ánh sáng tới phân kỳ, việc chọn thấu kính lõm hai mặt thường phù hợp hơn nếu tỷ lệ liên hợp tuyệt đối (khoảng cách vật chia cho khoảng cách ảnh) gần bằng 1. Khi độ phóng đại tuyệt đối mong muốn nhỏ hơn 0,2 hoặc lớn hơn 5, xu hướng thay thế là chọn một thấu kính phẳng-lõm.

Thấu kính ZnSe đặc biệt phù hợp để sử dụng với laser CO2 công suất cao. Paralight Optics cung cấp các Thấu kính hai mặt lõm hoặc lõm đôi (DCV) Zinc Selenide (ZnSe) có sẵn với lớp phủ AR băng thông rộng được tối ưu hóa cho dải quang phổ 8 – 12 μm lắng đọng trên cả hai bề mặt. Lớp phủ này làm giảm đáng kể độ phản xạ bề mặt cao của chất nền, mang lại tỷ lệ truyền trung bình vượt quá 97% trên toàn bộ phạm vi lớp phủ AR. Để biết thêm thông tin về lớp phủ, vui lòng kiểm tra Biểu đồ sau để bạn tham khảo.

đài phát thanh biểu tượng

Đặc trưng:

Vật liệu:

Kẽm Selenua (ZnSe)

Tùy chọn lớp phủ:

Có sẵn không tráng phủ hoặc có lớp phủ chống phản chiếu

Độ dài tiêu cự:

Có sẵn từ -25,4mm đến -200 mm

Ứng dụng:

Lý tưởng cho CO2 Ứng dụng laser do hệ số hấp thụ thấp

tính năng biểu tượng

Thông số kỹ thuật chung:

pro-liên quan-ico

Bản vẽ tham khảo cho

Thấu kính lõm đôi (DCV)

f: Tiêu cự
fb: Tiêu cự phía sau
ff: Tiêu cự phía trước
R: Bán kính cong
tc: Độ dày trung tâm
te: Độ dày cạnh
H”: Trở lại mặt phẳng chính

Lưu ý: Tiêu cự được xác định từ mặt phẳng chính phía sau, không nhất thiết phải thẳng hàng với độ dày của cạnh.

 

Thông số

Phạm vi & Dung sai

  • Vật liệu nền

    Kẽm Selenua cấp độ laze (ZnSe)

  • Kiểu

    Ống kính lõm đôi (DCV)

  • chỉ số khúc xạ

    2,403 @ 10,6μm

  • Số Abbe (Vd)

    Không được xác định

  • Hệ số giãn nở nhiệt (CTE)

    7.1x10-6/oC ở mức 273K

  • Dung sai đường kính

    Độ chính xác: +0,00/-0,10mm | Độ chính xác cao: +0,00/-0,02mm

  • Dung sai độ dày

    Độ chính xác: +/- 0,10 mm | Độ chính xác cao: +/- 0,02 mm

  • Dung sai độ dài tiêu cự

    +/- 1%

  • Chất lượng bề mặt (đào-cào)

    Dự đoán: 60-40 | Độ chính xác cao: 40-20

  • Sức mạnh bề mặt hình cầu

    3 λ/4

  • Bề mặt không đều (Đỉnh đến Thung lũng)

    λ/4 @633 nm

  • Định tâm

    Chính xác:< 3 phút cung | Độ chính xác cao< 30 giây

  • Khẩu độ rõ ràng

    80% đường kính

  • Phạm vi phủ AR

    8 - 12 mm

  • Phản xạ trên phạm vi lớp phủ (@ 0° AOI)

    Ravg< 1,0%, Thỏ< 2,0%

  • Truyền qua phạm vi phủ (@ 0° AOI)

    Tavg > 97%, Tab > 92%

  • Bước sóng thiết kế

    10,6 mm

  • Ngưỡng sát thương của tia laser

    5J/cm22(100 ns, 1 Hz, @ 10,6μm)

đồ thị-img

Đồ thị

♦ Đường cong truyền của lớp nền ZnSe không phủ dày 5 mm: độ truyền dẫn cao từ 0,16 đến 16 μm
♦ Đường cong truyền của chất nền ZnSe phủ AR 5 mm: Tavg > 97% trong phạm vi 8 - 12 μm

dòng sản phẩm-img

Đường cong truyền của chất nền ZnSe được phủ AR dày 5 mm (8 µm - 12 μm) ở 0° AOI

Sản phẩm liên quan

Nhấn enter để tìm kiếm hoặc ESC để đóng